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而且源极和漏极之间的沟道变得特别短，短沟道效应就明显起来了，阈值电压跟着下降，晶体管的开关特性也就受到影响了。
芯片的性能和功能也跟着受影响。
林浩的思考可以进入特定状态，在这个时候，他把晶体管的整体结构映射到脑海里，不停地旋转，整个碳晶圆的蚀刻流程也在其中参与推演。
脑海深处的灵感，冲刷着大脑皮层，这个感觉棒极了，他静静地坐在办公椅上，手指原本在桌上轻轻敲击的，这时也已经停止，甚至闭上了眼睛。
在这一刹那。
全身都处于静止状态，只有神经末梢在急速触动，内心深处的呼唤让他不能停止......
这种状态在持续。
由于长时间保持姿态，这个时候如果有人过来，会看到他的额头出现极为密集的细微汗珠，涓涓汇集，顺着脸庞向下流淌。
林浩现在脑海里全是PN结的影像。
如果......
如果......
如果......
目前的10纳米工艺制程，是把万亿个晶体管平铺蚀刻到碳晶圆上的，而单个晶体管是PN节，这是个长悠悠的造型，如果，如果把这个PN节给直立起来，这样在栅极之间就能减少好多空间。
如果碳晶圆的纯度是12个9，也许这个隔离栅极的宽度，可以变得更小。
这样的设计工艺，也许可以做到3纳米，甚至更小。
整整两天三夜。
林浩的休息时间极少，他都没有离开过办公室，这期间洛书芸进来过，几次张嘴想说什么，但最终什么也没说，而是默默地给林浩带来饭菜......
这种工艺改进也许是行得通的。
林浩直接前往地下。
伊娃来帮助他实现想法。
改造工艺流程，重新设计通用版本的芯片设计，这种设计伊娃做起来没有任何压力，初始版本的设计，是陈教授团队做的，伊娃只是极尽的推演和优化。
又过去两天时间。
终于造好了。
林浩摸着手里的芯片，掂量几下，感觉有些沉甸甸的。
这是3nm制程工艺的碳基芯片，128核心，主频6.1GHz，三级缓存642M，支持伊娃设计的指令集和PCIE5.0通道，支持DDR5内存，这些特性使得它在各方面都极为出色。
芯片指令集是伊娃的标准：
